Framleiðandi Vöru númer:
IPI147N12N3GAKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI147N12N3GAKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 120 V 56A (Ta) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
12804967
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI147N12N3GAKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
120 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
56A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
14.7mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 61µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3220 pF @ 60 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
107W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI147
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
IFEINFIPI147N12N3GAKSA1
IPI147N12N3 G-DG
2156-IPI147N12N3GAKSA1
IPI147N12N3G
IPI147N12N3 G
SP000652744
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDI150N10
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
3338
HLUTARNÁMR
FDI150N10-DG
Einingaverð
1.16
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPAN50R500CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
IRFH5300TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
IRF5802
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
