Framleiðandi Vöru númer:
IPA65R045C7XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPA65R045C7XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Birgðir:
11 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803792
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPA65R045C7XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.25mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4340 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
35W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-FP
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
IPA65R045
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001080092
2156-IPA65R045C7XKSA1
IFEINFIPA65R045C7XKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD90P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRF6636
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET