Framleiðandi Vöru númer:
IPA60R190P6XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPA60R190P6XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Birgðir:
188 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12799972
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPA60R190P6XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ P6
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 630µ
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1750 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
34W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-FP
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
IPA60R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001017080
2156-IPA60R190P6XKSA1
IPA60R190P6-DG
INFINFIPA60R190P6XKSA1
IPA60R190P6
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPC95R450P7X7SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPL65R1K5C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
IPI50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
