Framleiðandi Vöru númer:
IMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IMW120R045M1XKSA1-DG
Lýsing:
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Birgðir:
58 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800230
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IMW120R045M1XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolSiC™
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
52A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 10mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (hámark)
+20V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1900 pF @ 800 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
228W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3-41
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IMW120
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
IMW120R045M1XKSA1-DG
SP001346254
448-IMW120R045M1XKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
MSC025SMA120B
FRAMLEIÐANDI
Microchip Technology
Fjöldi í boði
30
HLUTARNÁMR
MSC025SMA120B-DG
Einingaverð
28.12
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
IPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
