Framleiðandi Vöru númer:
BSZ150N10LS3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSZ150N10LS3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Birgðir:
9240 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800223
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSZ150N10LS3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 33µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TSDSON-8
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSZ150
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSZ150N10LS3GATMA1TR
BSZ150N10LS3GATMA1DKR
BSZ150N10LS3GATMA1CT
BSZ150N10LS3GATMA1-DG
SP001002916
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB80R290C3AATMA2
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
IPA60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
IMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
