Framleiðandi Vöru númer:
BSP295H6327XTSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSP295H6327XTSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Birgðir:
943 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12836864
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSP295H6327XTSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
SIPMOS®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 400µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
368 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-4
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
BSP295
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
BSP295H6327XTSA1TR
SP001058618
BSP295H6327XTSA1CT
BSP295H6327XTSA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
PJW3N10A_R2_00001
FRAMLEIÐANDI
Panjit International Inc.
Fjöldi í boði
14009
HLUTARNÁMR
PJW3N10A_R2_00001-DG
Einingaverð
0.11
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
DMN6068SE-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
18062
HLUTARNÁMR
DMN6068SE-13-DG
Einingaverð
0.16
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDB5800
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
3LP01M-TL-E
MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
