Framleiðandi Vöru númer:
PJW3N10A_R2_00001
Product Overview
Framleiðandi:
Panjit International Inc.
Völu númer:
PJW3N10A_R2_00001-DG
Lýsing:
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Birgðir:
14009 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12970626
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
PJW3N10A_R2_00001 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
PANJIT
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
508 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-223
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
PJW3N10A
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
3757-PJW3N10A_R2_00001CT
3757-PJW3N10A_R2_00001TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
PJP3NA50_T0_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
PJD55N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD40N15_L2_00001
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
