Framleiðandi Vöru númer:
BSO080P03SHXUMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSO080P03SHXUMA1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Birgðir:
4973 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12798547
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSO080P03SHXUMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5890 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.79W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-DSO-8
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
BSO080
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SP000613798
BSO080P03S HCT
BSO080P03SH
BSO080P03SHXUMA1CT
BSO080P03S H-DG
BSO080P03SHXUMA1TR
BSO080P03S HDKR-DG
BSO080P03SHXUMA1DKR
BSO080P03S HCT-DG
BSO080P03S HTR-DG
BSO080P03S HDKR
BSO080P03S H
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSC018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
AUIRF6218S
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
AUXAKF1405ZS-7P
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
