BSC018NE2LSATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

BSC018NE2LSATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

BSC018NE2LSATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Birgðir:

11357 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12798548
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

BSC018NE2LSATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
29A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2800 pF @ 12 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-1
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
BSC018

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
SP000756336
BSC018NE2LSCT-DG
BSC018NE2LS-DG
BSC018NE2LSATMA1DKR
BSC018NE2LSATMA1TR
BSC018NE2LSTR-DG
BSC018NE2LSCT
BSC018NE2LSDKR-DG
BSC018NE2LSATMA1CT
BSC018NE2LS
BSC018NE2LSDKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

AUIRF6218S

MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK

infineon-technologies

AUXAKF1405ZS-7P

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

infineon-technologies

AUIRF3007

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

infineon-technologies

BSO080P03NS3EGXUMA1

MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO