Framleiðandi Vöru númer:
BSL372SNH6327XTSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSL372SNH6327XTSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-TSOP6-6
Birgðir:
12801430
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSL372SNH6327XTSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 218µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
329 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TSOP6-6
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SP000942920
IFEINFBSL372SNH6327XTSA1
2156-BSL372SNH6327XTSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DMN10H170SVT-7
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
5799
HLUTARNÁMR
DMN10H170SVT-7-DG
Einingaverð
0.14
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
PMN280ENEAX
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
3789
HLUTARNÁMR
PMN280ENEAX-DG
Einingaverð
0.07
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB049N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
IPP530N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
IPA60R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
