Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
IPB049N06L3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB049N06L3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
RFQ á netinu
12801434
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB049N06L3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 58µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8400 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
115W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB049N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
IPB049N06L3GATMA1-DG
Gagnaplakks
IPB049N06L3GATMA1
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB049N06L3 GCT-DG
IPB049N06L3 GDKR
SP000453056
IPB049N06L3 GTR-DG
IPB049N06L3 G
IPB049N06L3 G-DG
IPB049N06L3GATMA1TR
IPB049N06L3G
IPB049N06L3GATMA1DKR
IPB049N06L3GATMA1CT
IPB049N06L3 GDKR-DG
IPB049N06L3 GCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFS3306TRLPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
86
HLUTARNÁMR
IRFS3306TRLPBF-DG
Einingaverð
1.10
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDB5800
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
460
HLUTARNÁMR
FDB5800-DG
Einingaverð
1.27
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
NP89N055PUK-E1-AY
FRAMLEIÐANDI
Renesas Electronics Corporation
Fjöldi í boði
780
HLUTARNÁMR
NP89N055PUK-E1-AY-DG
Einingaverð
1.05
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
PSMN4R6-60BS,118
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
10374
HLUTARNÁMR
PSMN4R6-60BS,118-DG
Einingaverð
0.87
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
N0601N-ZK-E1-AY
FRAMLEIÐANDI
Renesas Electronics Corporation
Fjöldi í boði
1600
HLUTARNÁMR
N0601N-ZK-E1-AY-DG
Einingaverð
1.18
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP530N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
IPA60R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
IPP037N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPC60R190E6X7SA1
MOSFET N-CH