Framleiðandi Vöru númer:
GT105N10T
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
GT105N10T-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
13001241
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
GT105N10T Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
-
Röð
SGT
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
74W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
4822-GT105N10T
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFP4468PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3
AS1M080120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
DI017N06PQ-AQ
MOSFET POWERQFN 5X6 N 60V
