Framleiðandi Vöru númer:
TSM60NB900CH
Product Overview
Framleiðandi:
Taiwan Semiconductor Corporation
Völu númer:
TSM60NB900CH-DG
Lýsing:
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Birgðir:
13001263
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TSM60NB900CH Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Taiwan Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
315 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
36.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-251 (IPAK)
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
TSM60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
15,000
Önnur nöfn
1801-TSM60NB900CH
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPU80R900P7AKMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1500
HLUTARNÁMR
IPU80R900P7AKMA1-DG
Einingaverð
0.47
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STU7N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
3000
HLUTARNÁMR
STU7N60M2-DG
Einingaverð
0.49
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
TSM60NB900CH C5G
FRAMLEIÐANDI
Taiwan Semiconductor Corporation
Fjöldi í boði
55
HLUTARNÁMR
TSM60NB900CH C5G-DG
Einingaverð
1.45
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP015N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
TSM60NB190CI
600V, 18A, SINGLE N-CHANNEL POWE
DI068P04D1-AQ
MOSFET, DPAK, -40V, -68A, 0, 54W
