Framleiðandi Vöru númer:
GC11N65T
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
GC11N65T-DG
Lýsing:
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
98 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13000672
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
GC11N65T Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
Cool MOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
901 pF @ 50 V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
192W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
4822-GC11N65T
3141-GC11N65T
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMWSH120H90SM4Q
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWSH120H28SM4Q
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMN2310UW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
