DMWSH120H90SM4Q
Framleiðandi Vöru númer:

DMWSH120H90SM4Q

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMWSH120H90SM4Q-DG

Lýsing:

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-247-4

Birgðir:

47 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13000679
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

DMWSH120H90SM4Q Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
97.5mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
47.6 nC @ 15 V
Vgs (hámark)
+19V, -8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1112 pF @ 1000 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
235W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-4
Pakki / hulstur
TO-247-4

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
DMWSH120H90SM4Q-DG
Gagnaplakks
DMWSH120H90SM4Q
Gagnablöð
DMWSH120H90SM4Q

Aukainformation

Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
31-DMWSH120H90SM4Q

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
diodes

DMWSH120H28SM4Q

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

diodes

DMN2310UW-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

diodes

DMT32M4LFG-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMN1008UFDFQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6