Framleiðandi Vöru númer:
G080P06T
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
G080P06T-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 195A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
10000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12994061
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
G080P06T Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
294W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
4822-G080P06T
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDBL86066-F085AW
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
IMT65R048M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
ICE15N73FP
Superjunction MOSFET
