Framleiðandi Vöru númer:
IMT65R048M1HXUMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IMT65R048M1HXUMA1-DG
Lýsing:
SILICON CARBIDE MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1
Birgðir:
1976 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12994072
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IMT65R048M1HXUMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolSiC™
Staða vöru
Active
FET gerð
-
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (hámark)
-
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
-
Hitastig rekstrar
-
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-HSOF-8-1
Pakki / hulstur
8-PowerSFN
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
448-IMT65R048M1HXUMA1TR
SP005716839
448-IMT65R048M1HXUMA1CT
448-IMT65R048M1HXUMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
2 (1 Year)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
ICE15N73FP
Superjunction MOSFET
IQE065N10NM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
MSJB06N80A-TP
Interface
