Framleiðandi Vöru númer:
G2R1000MT17J
Product Overview
Framleiðandi:
GeneSiC Semiconductor
Völu númer:
G2R1000MT17J-DG
Lýsing:
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1700 V 3A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Birgðir:
13576 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12954269
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
G2R1000MT17J Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
GeneSiC Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
G2R™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1700 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2mA
Vgs (hámark)
+20V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
139 pF @ 1000 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
54W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263-7
Pakki / hulstur
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Grunnvörunúmer
G2R1000
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
1242-G2R1000MT17J
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SD213DE TO-72 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
SI7317DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
PMPB08R4VPX
MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
