Framleiðandi Vöru númer:
SIR476DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIR476DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
12954279
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIR476DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6150 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR476
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIR476DPT1GE3
SIR476DP-T1-GE3CT
SIR476DP-T1-GE3DKR
SIR476DP-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
CSD16401Q5
FRAMLEIÐANDI
Texas Instruments
Fjöldi í boði
5449
HLUTARNÁMR
CSD16401Q5-DG
Einingaverð
1.02
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SIRA24DP-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
11221
HLUTARNÁMR
SIRA24DP-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.29
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
FCH35N60
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
DMT15H017LPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
SIHP22N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
