HUF76009P3
Framleiðandi Vöru númer:

HUF76009P3

Product Overview

Framleiðandi:

Fairchild Semiconductor

Völu númer:

HUF76009P3-DG

Lýsing:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 20A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

7513 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12933419
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

HUF76009P3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
UltraFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
470 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
41W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð
HUF76009D3ST

Aukainformation

Venjulegur pakki
523
Önnur nöfn
2156-HUF76009P3
FAIFSCHUF76009P3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

HUF76143S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

HUF76121S3

N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

IPB100N04S2L-03ATMA2

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDN363N

N-CHANNEL POWER MOSFET