FDN363N
Framleiðandi Vöru númer:

FDN363N

Product Overview

Framleiðandi:

Fairchild Semiconductor

Völu númer:

FDN363N-DG

Lýsing:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 1A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SuperSOT™-3

Birgðir:

42602 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12933458
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDN363N Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
200 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
500mW (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SuperSOT™-3
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð
Datasheet

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,664
Önnur nöfn
2156-FDN363N
FAIFSCFDN363N

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
Not applicable
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

IRF710B

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76432S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

IRF831

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76132S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET