Framleiðandi Vöru númer:
FQI6N60CTU
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FQI6N60CTU-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Birgðir:
1844 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12907680
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQI6N60CTU Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Tube
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262 (I2PAK)
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
398
Önnur nöfn
FAIFSCFQI6N60CTU
2156-FQI6N60CTU-FS
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFBF30SPBF
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
IRF614S
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
IRF744PBF
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB
