Framleiðandi Vöru númer:
IRFBF30SPBF
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRFBF30SPBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12907689
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFBF30SPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IRFBF30
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
*IRFBF30SPBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFA4N100P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFA4N100P-DG
Einingaverð
1.76
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTA3N100P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
100
HLUTARNÁMR
IXTA3N100P-DG
Einingaverð
3.03
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXFA4N100Q
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFA4N100Q-DG
Einingaverð
4.32
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF614S
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
IRF744PBF
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB
IXFB40N110P
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
