Framleiðandi Vöru númer:
FQD4N20TM
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FQD4N20TM-DG
Lýsing:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Birgðir:
2552 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946834
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQD4N20TM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
QFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
220 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252 (DPAK)
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,086
Önnur nöfn
2156-FQD4N20TM
ONSONSFQD4N20TM
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
