FDG311N
Framleiðandi Vöru númer:

FDG311N

Product Overview

Framleiðandi:

Fairchild Semiconductor

Völu númer:

FDG311N-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Birgðir:

65240 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946841
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDG311N Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
270 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
750mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SC-88 (SC-70-6)
Pakki / hulstur
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð
FDG311N Datasheet

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,466
Önnur nöfn
2156-FDG311N
FAIFSCFDG311N

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
stmicroelectronics

STE70NM60

MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP

international-rectifier

IRFH7934TRPBF

MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN

fairchild-semiconductor

FDS8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

fairchild-semiconductor

FCPF7N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6