Framleiðandi Vöru númer:
FDS8882
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FDS8882-DG
Lýsing:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
56024 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946847
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDS8882 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
940 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
825
Önnur nöfn
2156-FDS8882
ONSONSFDS8882
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FCPF7N60NT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FQU2N90TU-AM002
MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK
FCPF36N60NT
MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
