Framleiðandi Vöru númer:
FQU2N90TU-AM002
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FQU2N90TU-AM002-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Birgðir:
977 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946853
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQU2N90TU-AM002 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
QFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.2Ohm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
I-PAK
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
473
Önnur nöfn
2156-FQU2N90TU-AM002
ONSFSCFQU2N90TU-AM002
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
FCPF36N60NT
MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
FDMS7694
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
IPZ65R095C7
IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO