Framleiðandi Vöru númer:
FDMS8027S
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FDMS8027S-DG
Lýsing:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Birgðir:
18985 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12947123
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDMS8027S Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
PowerTrench®, SyncFET™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Ta), 22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1815 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 36W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-PQFN (5x6)
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
347
Önnur nöfn
2156-FDMS8027S
FAIFSCFDMS8027S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
PHB18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
FDFM2P110
MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
FDP7030BL
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6