FDFMA3P029Z
Framleiðandi Vöru númer:

FDFMA3P029Z

Product Overview

Framleiðandi:

Fairchild Semiconductor

Völu númer:

FDFMA3P029Z-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 3.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MLP (2x2)

Birgðir:

2319 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946934
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDFMA3P029Z Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.3A (Ta)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
87mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
435 pF @ 15 V
FET eiginleiki
Schottky Diode (Isolated)
Afl leiðni (hámark)
1.4W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-MLP (2x2)
Pakki / hulstur
6-WDFN Exposed Pad

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,110
Önnur nöfn
2156-FDFMA3P029Z
FAIFSCFDFMA3P029Z

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

FDS6298

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

texas-instruments

CSD17303Q5

CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET

fairchild-semiconductor

FDB035AN06A0

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDMA530PZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6