Framleiðandi Vöru númer:
FDC855N
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FDC855N-DG
Lýsing:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Birgðir:
10062 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946497
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDC855N Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
655 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.6W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SuperSOT™-6
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,265
Önnur nöfn
FAIFSCFDC855N
2156-FDC855N
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
