Framleiðandi Vöru númer:
FQP3N60C
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FQP3N60C-DG
Lýsing:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
12946498
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQP3N60C Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
565 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
75W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Aukainformation
Venjulegur pakki
467
Önnur nöfn
2156-FQP3N60C
ONSFSCFQP3N60C
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
