Framleiðandi Vöru númer:
ZXMN2A02N8TA
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
ZXMN2A02N8TA-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 8.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Birgðir:
480 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12905494
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
ZXMN2A02N8TA Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18.9 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1900 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.56W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SO
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
ZXMN2
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
ZXMN2A02N8DI
31-ZXMN2A02N8TADKR
ZXMN2A02N8TR-NDR
31-ZXMN2A02N8TACT
ZXMN2A02N8CT
ZXMN2A02N8CT-NDR
31-ZXMN2A02N8TATR
ZXMN2A02N8TR
ZXMN2A02N8DKR
ZXMN2A02N8DI-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRL6342TRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
30562
HLUTARNÁMR
IRL6342TRPBF-DG
Einingaverð
0.17
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
STS6NF20V
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
8427
HLUTARNÁMR
STS6NF20V-DG
Einingaverð
0.25
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXFN44N80
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
IRFD010PBF
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
IRF740APBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB