Framleiðandi Vöru númer:
DMN10H099SFG-7
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMN10H099SFG-7-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Birgðir:
1621 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12883091
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMN10H099SFG-7 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1172 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
980mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerDI3333-8
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
DMN10
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
DMN10H099SFG-7DICT
DMN10H099SFG-7DIDKR
DMN10H099SFG-7DITR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DMN10H099SFG-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
DMN10H099SFG-13-DG
Einingaverð
0.20
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
TN0201K-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 420MA SOT23-3
DMP3165SVT-7
MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
DMN601WKQ-7
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
