DMN30H4D1S-7
Framleiðandi Vöru númer:

DMN30H4D1S-7

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMN30H4D1S-7-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 300 V 430mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Birgðir:

12883121
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

DMN30H4D1S-7 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
300 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
430mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
174 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
360mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
DMN30

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
DMN30H4D1S-7DI

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
DMN30H4D0L-7
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
20142
HLUTARNÁMR
DMN30H4D0L-7-DG
Einingaverð
0.15
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
diodes

2N7002E-7-G

MOSFET N-CH 60V SOT23

diodes

2N7002T-7-G

MOSFET N-CH 60V SOT523

diodes

DMG2301U-7

MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3

diodes

2N7002T-7

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523