Framleiðandi Vöru númer:
AOC2422
Product Overview
Framleiðandi:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Völu númer:
AOC2422-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 8V 3.5A 4ALPHADFN
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 8 V 3.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Birgðir:
12849253
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
AOC2422 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
8 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 2.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 1.5A, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
870 pF @ 4 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
600mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Pakki / hulstur
4-SMD, No Lead
Grunnvörunúmer
AOC24
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI8800EDB-T2-E1
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
5
HLUTARNÁMR
SI8800EDB-T2-E1-DG
Einingaverð
0.12
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
PMCM6501VNEZ
FRAMLEIÐANDI
NXP USA Inc.
Fjöldi í boði
2022638
HLUTARNÁMR
PMCM6501VNEZ-DG
Einingaverð
0.19
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDMS7698
MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
AON1620
MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN
BUZ31 E3045A
MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
