Framleiðandi Vöru númer:
SI8800EDB-T2-E1
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI8800EDB-T2-E1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Birgðir:
5 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914676
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI8800EDB-T2-E1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8.3 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
500mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-Microfoot
Pakki / hulstur
4-XFBGA, CSPBGA
Grunnvörunúmer
SI8800
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI8800EDB-T2-E1CT
SI8800EDB-T2-E1DKR
SI8800EDB-T2-E1TR
SI8800EDBT2E1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFD9020PBF
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
IRFR9014
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IRFP450PBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
