Framleiðandi Vöru númer:

SISS5623DN-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SISS5623DN-T1-GE3-DG

Lýsing:

P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 60 V 10.5A (Ta), 36.3A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Birgðir:

11202 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

13374291

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SISS5623DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Umbúðir

Tape & Reel (TR)

Staða hluta

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

60 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

10.5A (Ta), 36.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

33 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1575 pF @ 30 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

4.8W (Ta), 56.8W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PowerPAK® 1212-8S

Pakki / hulstur

PowerPAK® 1212-8S

Grunnvörunúmer

SISS5623

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

742-SISS5623DN-T1-GE3CT

742-SISS5623DN-T1-GE3DKR

742-SISS5623DN-T1-GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

TSM10ND65CI

650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW

TSM70N900CI

700V, 4.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

TSM043NB04LCZ

40V, 124A, SINGLE N-CHANNEL POWE

TSM60NC165CI

600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE