Framleiðandi Vöru númer:
SIRA66DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIRA66DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
13061260
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIRA66DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
62.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIRA66
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIRA66DP-T1-GE3DKR
SIRA66DP-T1-GE3CT
SIRA66DP-T1-GE3-ND
SIRA66DP-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RS1E350BNTB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
810
HLUTARNÁMR
RS1E350BNTB-DG
Einingaverð
0.65
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RS1E321GNTB1
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
4800
HLUTARNÁMR
RS1E321GNTB1-DG
Einingaverð
0.91
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RS3E095BNGZETB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
2500
HLUTARNÁMR
RS3E095BNGZETB-DG
Einingaverð
0.29
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RXH070N03TB1
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
2498
HLUTARNÁMR
RXH070N03TB1-DG
Einingaverð
0.32
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4190DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
SI1480DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
