Framleiðandi Vöru númer:
SIRA02DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIRA02DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
7498 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13060264
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIRA02DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6150 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIRA02
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Vara teikningar
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIRA02DP-T1-GE3DKR
SIRA02DP-T1-GE3TR
SIRA02DP-T1-GE3CT
SIRA02DPT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQA442EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6
SI7758DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI1413EDH-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6