SIR626LDP-T1-RE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIR626LDP-T1-RE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIR626LDP-T1-RE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 45.6A (Ta), 186A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

6172 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13060499
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIR626LDP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
45.6A (Ta), 186A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5900 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR626

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SIR626LDP-T1-RE3-DG
Gagnaplakks
SIR626LDP-T1-RE3
Gagnablöð
SIR626LDP

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIR626LDP-T1-RE3CT
SIR626LDP-T1-RE3TR
SIR626LDP-T1-RE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay

SQD50034E_GE3

MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

vishay

SI4812BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO

vishay

SI4442DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

vishay

SQA470EJ-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70