Framleiðandi Vöru númer:
SI2305ADS-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI2305ADS-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 8 V 5.4A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Birgðir:
13060958
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI2305ADS-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
8 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
740 pF @ 4 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-50°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SI2305
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI2305ADS-T1-E3-ND
SI2305ADST1E3
SI2305ADS-T1-E3TR
SI2305ADS-T1-E3DKR
SI2305ADS-T1-E3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI2305CDS-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
46362
HLUTARNÁMR
SI2305CDS-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.09
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SI2305-TP
FRAMLEIÐANDI
Micro Commercial Co
Fjöldi í boði
36718
HLUTARNÁMR
SI2305-TP-DG
Einingaverð
0.06
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4124DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
SI2304BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
SI7430DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
