IRFD224

Framleiðandi Vöru númer:

IRFD224

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRFD224-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Birgðir:

RFQ á netinu

13053325

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRFD224 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

-

Röð

-

Umbúðir

Tube

Staða hluta

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

250 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

630mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 380mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

260 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

1W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

4-HVMDIP

Pakki / hulstur

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Grunnvörunúmer

IRFD224

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

100

Önnur nöfn

*IRFD224

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

RoHS non-compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer

IRFD224PBF

FRAMLEIÐANDI

Vishay Siliconix

Fjöldi í boði

2250

HLUTARNÁMR

IRFD224PBF-DG

Einingaverð

0.51

VÖRUVAL

Parametric Equivalent

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay

IRF9640SPBF

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

vishay

IRFR9220PBF

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

vishay

IRFR224TRR

MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK

vishay

IRLD014PBF

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP