Framleiðandi Vöru númer:
IRF610STRRPBF
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRF610STRRPBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
13050437
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF610STRRPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3W (Ta), 36W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IRF610
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF610STRLPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
677
HLUTARNÁMR
IRF610STRLPBF-DG
Einingaverð
0.68
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF840SPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRF540STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRF840ASTRR
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
