Framleiðandi Vöru númer:
SUP50N03-5M1P-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SUP50N03-5M1P-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12787731
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SUP50N03-5M1P-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2780 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SUP50
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SUP50N03-5M1P-GE3CT-DG
SUP50N03-5M1P-GE3CT
SUP50N035M1PGE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPP042N03LGXKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
238
HLUTARNÁMR
IPP042N03LGXKSA1-DG
Einingaverð
0.49
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IRL7833PBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
518
HLUTARNÁMR
IRL7833PBF-DG
Einingaverð
0.71
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQP120P06-6M7L_GE3
MOSFET P-CH 60V TO220AB
VP0808B-E3
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
VP1008B
MOSFET P-CH 100V 790MA TO39
