Framleiðandi Vöru númer:
SUP25P10-138-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SUP25P10-138-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 16.3A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 16.3A (Tc) 3.1W (Ta), 73.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12916054
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SUP25P10-138-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2100 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta), 73.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SUP25
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFB4610PBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
936
HLUTARNÁMR
IRFB4610PBF-DG
Einingaverð
0.89
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
HUF75645P3
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
1488
HLUTARNÁMR
HUF75645P3-DG
Einingaverð
1.15
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPP12CN10LGXKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
886
HLUTARNÁMR
IPP12CN10LGXKSA1-DG
Einingaverð
0.73
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7634BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIA811DJ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
SI4442DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO