SUD50P04-23-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SUD50P04-23-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SUD50P04-23-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 40 V 8.2A (Ta), 20A (Tc) 3.1W (Ta), 45.4W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

RFQ á netinu
12787200
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SUD50P04-23-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.2A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1880 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SUD50

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIHD4N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK

vishay-siliconix

SIR122DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK

vishay-siliconix

SISS46DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK

vishay-siliconix

SIHB22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK