Framleiðandi Vöru númer:
SUD50N06-07L-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SUD50N06-07L-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 96A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12919699
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SUD50N06-07L-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
96A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
144 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
136W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SUD50
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SUD50N06-07L-GE3CT
SUD50N0607LGE3
SUD50N06-07L-GE3TR
SUD50N06-07L-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SUD50N06-09L-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
5732
HLUTARNÁMR
SUD50N06-09L-E3-DG
Einingaverð
1.46
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPD50N06S4L08ATMA2
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
5818
HLUTARNÁMR
IPD50N06S4L08ATMA2-DG
Einingaverð
0.38
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4840BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
SI7454DDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
SI7464DP-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
