SUD50N03-12P-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SUD50N03-12P-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SUD50N03-12P-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 16.8A (Ta) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

RFQ á netinu
12786511
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SUD50N03-12P-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
39W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SUD50

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIRA50DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK

vishay-siliconix

SQM25N15-52_GE3

MOSFET N-CH 150V 25A TO263

vishay-siliconix

SIR422DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIJ438DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8