SUD35N10-26P-BE3
Framleiðandi Vöru númer:

SUD35N10-26P-BE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SUD35N10-26P-BE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

1835 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12939484
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SUD35N10-26P-BE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2000 pF @ 12 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SUD35

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
742-SUD35N10-26P-BE3TR
742-SUD35N10-26P-BE3DKR
742-SUD35N10-26P-BE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
rohm-semi

RSS090N03FRATB

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

vishay-siliconix

SIHD14N60E-BE3

MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA

renesas-electronics-america

RQK0609CQDQS#H1

MOSFET N-CH 60V 4A UPAK

vishay-siliconix

SIHP16N50C-BE3

MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB