SUD08P06-155L-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SUD08P06-155L-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SUD08P06-155L-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 60 V 8.4A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount TO-252

Birgðir:

18214 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12953890
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SUD08P06-155L-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SUD08

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SUD08P06-155L-GE3DKR
SUD08P06-155L-GE3CT
SUD08P06-155L-GE3TR
SUD08P06-155L-GE3-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQ4153EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC

vishay-siliconix

IRFIB7N50APBF

MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3

diodes

ZVN2106ASTOA

MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE

vishay-siliconix

SQJ850EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8